[实用新型]一种背入式雪崩光电探测器芯片有效
申请号: | 201821252820.X | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN208596682U | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘宏亮;邹颜;刘格 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518071 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种背入式APD芯片,本实用新型技术方案在APD芯片的背面设置通光窗口,APD芯片为背入式芯片,可以通过位于背面的通光窗口检测光信号。相对于传统的正面检测光信号的方式,本实用新型技术方案中位于背面的第二电极可以仅预留通光窗口,完全覆盖其他背面区域,而第二电极不透光,可以完全防止背面通光窗口之外的其他区域的杂光入射,从而可以避免环境噪声的影响,保证APD芯片可以正确识别单光子信号光。 | ||
搜索关键词: | 通光窗口 本实用新型 第二电极 检测光 芯片 雪崩光电探测器 单光子信号 背面区域 背面设置 环境噪声 不透光 传统的 入射 杂光 预留 背面 保证 | ||
【主权项】:
1.一种背入式雪崩光电探测器芯片,其特征在于,所述背入式雪崩光电探测器芯片包括:外延片,所述外延片包括芯片衬底以及设置在所述芯片衬底一侧表面的外延功能层;所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面内具有扩散区;钝化层,所述钝化层覆盖所述外延功能层背离所述芯片衬底的一侧表面,且具有露出所述扩散区的开口;第一电极,所述第一电极位于所述外延功能背离所述芯片衬底的一侧,所述第一电极通过所述开口与所述扩散区电连接;第二电极,所述第二电极不透光,位于所述芯片衬底背离所述外延功能层的一侧表面,且与所述扩散区相对的区域设置有通光窗口;其中,所述第二电极背离所述芯片衬底的一侧表面为反射面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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