[实用新型]存储装置有效
| 申请号： | 201821257268.3 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN209496897U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 伊藤雄一;松尾浩司 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种包含高性能的存储器元件的存储装置。一实施方式的存储装置具备状态变化层、导电体、状态变化层的上表面上的第1强磁性体、第1强磁性体的上表面上的非磁性体及非磁性体的上表面上的第2强磁性体。状态变化层位于半导体衬底的上方，具有切换功能。导电体设置在状态变化层的上表面上，包含碳，具备具有第1粗糙度的下表面，且具备具有低于所述第1粗糙度的第2粗糙度的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 状态变化层 存储装置 强磁性体 粗糙度 非磁性体 导电体 存储器元件 下表面 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于具备：状态变化层，设置在半导体衬底的上方，且具有切换功能；电极，设置在所述状态变化层的上表面上，包含碳，具备具有第1表面粗糙度的下表面，且具备具有低于所述第1表面粗糙度的第2表面粗糙度的上表面；第1强磁性体，位于所述状态变化层的上方；非磁性体，位于所述第1强磁性体的上表面上；及第2强磁性体，位于所述非磁性体的上表面上。
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