[实用新型]一种光伏芯片集成封装结构有效
申请号: | 201821266731.0 | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN208738272U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 周润青;王运方;曹志峰 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/044 | 分类号: | H01L31/044;H01L31/048 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种光伏芯片集成封装结构,包括光伏芯片层、旁路二极管、支撑结构和玻璃层;在所述光伏芯片层上表面贴装有所述旁路二极管,在所述光伏芯片层上表面还设置有支撑结构,所述支撑结构的厚度大于所述旁路二极管的高度,所述玻璃层设置在所述支撑结构上。本实用新型的光伏芯片集成封装结构能够有效保护旁路二极管和光伏芯片不受玻璃层的压迫,提高光伏组件的稳定性,且结构简单,效果显著,生产成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 光伏 旁路二极管 支撑结构 芯片集成封装 玻璃层 芯片层 本实用新型 上表面 光伏组件 生产成本 压迫 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种光伏芯片集成封装结构,其特征在于,其包括光伏芯片层(1)、旁路二极管(2)、支撑结构和玻璃层(5),在所述光伏芯片层(1)上表面贴装有所述旁路二极管(2);在所述光伏芯片层(1)上表面还设置有支撑结构,所述支撑结构的厚度大于所述旁路二极管(2)的高度,所述玻璃层(5)设置在所述支撑结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的