[实用新型]一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片

摘要

本申请提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；通过先在衬底上生长一层N型碳化硅材料的外延层一，然后在外延层一上再生长一层P型碳化硅材料的外延层二，然后将外延层二的未被光刻胶环所覆盖的部分全部给刻蚀除去，仅留下被光刻胶环覆盖的部分，然后去除光刻胶环，完成后制得P型保护环；从而实现了在不使用成本高的高能离子注入和高温激活退火的情况下制得了P型保护环，具有操作简单，生产效率高，可靠性好，成本低。

主权项

1.一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，其特征在于，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；所述背面层状金属电极、衬底以及外延层一从下往上依次叠加，所述衬底的上表面上设置有外延层一，所述衬底的下表面上淀积设置有所述背面层状金属电极；所述P型保护环设置在所述外延层一的上表面上，所述P型保护环位于所述外延层一的外部；所述外延层一的且位于所述P型保护环的环内的上表面上淀积设置有所述肖特基金属层，所述肖特基金属层与所述P型保护环的内侧向环面接触；所述环状钝化层设置在所述外延层一的上表面上且所述环状钝化层的下环状表面的内圈遮盖所述P型保护环的上环状表面的外圈；所述正面层状金属电极覆盖着所述肖特基金属层的上表面以及所述P型保护环的上环状表面的内圈；所述环状聚酰亚胺膜覆盖着所述正面层状金属电极与所述钝化层的对接缝处。