[实用新型]一种功率器件芯片

摘要

本实用新型公开了一种功率器件芯片，包括：N型衬底；N型外延层，形成于N型衬底厚度方向一表面上；沟槽，形成于N型外延层内；P型体区，形成于N型外延层内并与沟槽两侧邻接；N+型源区，形成于P型体区内并与沟槽两侧邻接；沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，沟槽底部形成有厚氧化硅层，氮氧化硅层外形成有氧化硅层，厚氧化硅层上形成有半绝缘多晶硅层，半绝缘多晶硅层上填充有多晶硅，多晶硅填满沟槽；本实用新型的功率器件芯片在底部厚氧化层上制作半绝缘氧化硅作为过渡缓冲层，降低了应力，进一步提高了器件可靠性，制成器件的性能和可靠性都大幅提高。

主权项

1.一种功率器件芯片，其特征在于：其包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上表面的第一导电类型的外延层，所述外延层上形成有沟槽；所述沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，所述沟槽底部以及所述氮氧化硅层外均形成有氧化硅层，所述沟槽底部的氧化层的厚度大于所述氮氧化硅层外的氧化硅层，所述沟槽底部的氧化硅层上形成有半绝缘多晶硅层，所述半绝缘多晶硅层上用多晶硅填满所述沟槽；体区，形成于所述外延层内并与所述沟槽两侧邻接；源区，形成于所述体区内并与所述沟槽两侧邻接；介质层，形成于所述多晶硅上，并覆盖部分所述源区及所述体区；第一金属层，形成于所述体区、部分所述源区及所述介质层上；第二金属层，形成于所述衬底的下表面。