[实用新型]一种晶体管有效
| 申请号： | 201821312696.1 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN208904023U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 梅小杰;李龙;杨东;邹荣涛;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/737 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶体管，所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的外延层，生长在所述衬底上方；第二导电类型的发射区，所述发射区贯穿所述外延层与所述衬底连接，所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸；及第一导电类型的基区，所述基区贯穿所述外延层与所述衬底连接，且所述基区位于所述发射区的一侧并沿着所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸。上述晶体管成本低，且放大系数高。 | ||
| 搜索关键词： | 发射区 晶体管 衬底 外延层 基区 第一导电类型 衬底表面 导电类型 非直线 平行 本实用新型 放大系数 贯穿 延伸 生长 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的外延层，生长在所述衬底上方；第二导电类型的发射区，所述发射区贯穿所述外延层与所述衬底连接，所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸；及第一导电类型的基区，所述基区贯穿所述外延层与所述衬底连接，且所述基区位于所述发射区的一侧并沿着所述发射区在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸。
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