[实用新型]薄膜压电器件有效
申请号: | 201821314464.X | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN208767338U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 罗超;何维嵩 | 申请(专利权)人: | 东莞希越电子有限公司 |
主分类号: | H01L41/083 | 分类号: | H01L41/083 |
代理公司: | 东莞市创益专利事务所 44249 | 代理人: | 许彬 |
地址: | 523000 广东省东莞市万江街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及压电元件技术领域,尤其是涉及薄膜压电器件,该器件具有硅晶圆衬底,该硅晶圆衬底设有贯通的空腔,在空腔一端头上覆盖压电薄膜叠层,并在该压电薄膜叠层的上表面附设振动板,所述压电薄膜叠层至少具有一层压电薄膜及设在压电薄膜上下表面的电极层。本实用新型将器件生长在硅晶圆基片上,硅材料仅作为生长器件的衬底,而将器件的振动板形成于压电薄膜叠层的上表面,从而解决了常规结构中由于需要硅振动板而必须采用昂贵的SOI晶圆基片作为衬底的问题。优化结构,降低制作成本,使复杂高温工序过程中的变形简单,容易控制制作,进而有益于最终的良品率。可用于制作如麦克风、扬声器、喷墨打印头、微镜、微泵等微机电系统器件。 | ||
搜索关键词: | 压电薄膜 衬底 叠层 硅晶圆 振动板 本实用新型 压电器件 上表面 空腔 薄膜 制作 微机电系统器件 扬声器 喷墨打印头 常规结构 高温工序 上下表面 压电元件 优化结构 麦克风 生长 电极层 硅材料 良品率 附设 晶圆 可用 微泵 微镜 变形 贯通 覆盖 | ||
【主权项】:
1.薄膜压电器件,其特征在于:该器件具有硅晶圆衬底(1),该硅晶圆衬底(1)设有贯通的空腔(11),在空腔(11)一端头上覆盖压电薄膜叠层(2),并在该压电薄膜叠层(2)的上表面附设振动板(3),所述压电薄膜叠层(2)至少具有一层压电薄膜(21)及设在压电薄膜(21)上下表面的电极层(22)。
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