[实用新型]IGBT功率组件有效
| 申请号： | 201821314696.5 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN208460744U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李彦莹;路笑;杨小川 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种IGBT功率组件，包括封装下盖板、覆铜陶瓷基板、IGBT芯片及封装上盖板；所述覆铜陶瓷基板位于所述封装下盖板的上表面；所述IGBT芯片位于所述覆铜陶瓷基板的上表面；所述封装上盖板位于所述IGBT芯片的上表面。本实用新型的IGBT功率组件通过改善的结构设计，将IGBT芯片直接烧结焊接于覆铜陶瓷基板上，避免现有技术中存在的IGBT器件结构复杂、散热不佳、焊接工艺中产生的空洞率高以及因使用的陶瓷片易碎导致器件抗震能力不佳等问题。本实用新型的IGBT功率组件结构简单，能有效改善空洞率问题，且散热效果和抗震能力得到极大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 覆铜陶瓷基板 封装 本实用新型 上表面 抗震能力 空洞率 上盖板 下盖板 焊接工艺 散热效果 易碎 烧结 陶瓷片 散热 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT功率组件，其特征在于，包括：封装下盖板；覆铜陶瓷基板，位于所述封装下盖板的上表面；IGBT芯片，位于所述覆铜陶瓷基板的上表面；封装上盖板，位于所述IGBT芯片的上表面。
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