[实用新型]可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器

摘要

专利公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。

主权项

1.一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，包括碲镉汞p区(1)，碲镉汞低掺杂n^‑区(2)，碲镉汞高掺杂n⁺区(3)，钝化层(4)，pn结光敏元区电极(5)，p区公共电极(6)和表面能带调制电极(7)，其特征在于：在碲镉汞p区(1)上通过常规掺杂形成碲镉汞高掺杂n⁺区(3)和碲镉汞低掺杂n^‑区(2)；在碲镉汞上覆盖钝化层(4)，在pn结光敏元区电极(5)和碲镉汞p区(1)上方的钝化层(4)上分别开孔使碲镉汞高掺杂n⁺区(3)与pn结光敏元区电极(5)相连，碲镉汞p区(1)与p区公共电极(6)相连；在钝化层(4)上制备表面能带调制电极(7),其位置在垂直方向上的碲镉汞低掺杂n^‑区(2)和碲镉汞p区(1)所形成的pn结耗尽区上钝化层(4)上；所述的纵向碲镉汞高掺杂n⁺区(3)下的碲镉汞低掺杂n^‑区(2)厚度为3μm，碲镉汞高掺杂n⁺区(3)厚度为1μm。