[实用新型]扇出型天线封装结构有效

专利信息
申请号: 201821346590.3 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN208637416U 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/683;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种扇出型天线封装结构,所述封装结构包括:重新布线层;位于重新布线层上的第一金属连接柱;位于重新布线层上且与重新布线层电性连接的半导体芯片;覆盖重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片且显露第一金属连接柱的第一封装层;位于第一封装层的顶面上且与第一金属连接柱电性连接的第一天线金属层;位于第一天线金属层上的第二金属连接柱;覆盖第一天线金属层及第二金属连接柱且显露第二金属连接柱的第二封装层;位于第二封装层的顶面上且与第二金属连接柱电性连接的第二天线金属层;以及位于重新布线层上的金属凸块。本实用新型实现多层天线金属层的整合,有效缩小封装体积,具有较高的集成度以及电性稳定性。
搜索关键词: 金属连接柱 重新布线层 天线金属 封装层 电性连接 半导体芯片 本实用新型 天线封装 扇出型 显露 电性稳定性 多层天线 封装结构 金属凸块 集成度 金属层 覆盖 整合 封装
【主权项】:
1.一种扇出型天线封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一面及第二面;第一金属连接柱,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;半导体芯片,位于所述重新布线层的第二面上,且与所述重新布线层电性连接;第一封装层,覆盖所述重新布线层、第一金属连接柱及半导体芯片,且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱;第一天线金属层,位于所述第一封装层的顶面上,且所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电性连接;第二金属连接柱,位于所述第一天线金属层上;第二封装层,覆盖所述第一天线金属层及第二金属连接柱,且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱;第二天线金属层,位于所述第二封装层的顶面上,且所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电性连接;以及金属凸块,位于所述重新布线层的第一面上。
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