[实用新型]屏蔽栅极场效应晶体管有效
| 申请号： | 201821355188.1 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN208767305U | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | P·A·布尔克;D·E·普罗布斯特;S·J·霍赛 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及屏蔽栅极场效应晶体管。根据本申请的一个方面，提供了屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于包括：沟槽，所述沟槽形成在衬底内；屏蔽氧化物材料，所述屏蔽氧化物材料形成在所述沟槽内；屏蔽电极材料，所述屏蔽电极材料沉积在所述屏蔽氧化物材料上，之后所述屏蔽氧化物材料在所述屏蔽电极上方凹进以加宽所述沟槽的上部部分，所述屏蔽电极材料凹进在所述屏蔽氧化物材料内以形成凹部；多晶硅层间氧化物材料，所述多晶硅层间氧化物材料沉积在所述屏蔽电极材料上，填充所述凹部；和栅极电极，所述栅极电极形成在所述多晶硅层间氧化物材料上方。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽氧化物 屏蔽电极 栅极场效应晶体管 氧化物材料 多晶硅层 屏蔽 栅极电极 凹部 凹进 本实用新型 材料沉积 材料形成 沟槽形成 衬底 加宽 沉积 填充 申请 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅极场效应晶体管，其特征在于包括：沟槽，所述沟槽形成在衬底内；屏蔽氧化物材料，所述屏蔽氧化物材料形成在所述沟槽内；屏蔽电极材料，所述屏蔽电极材料沉积在所述屏蔽氧化物材料上，之后所述屏蔽氧化物材料在所述屏蔽电极上方凹进以加宽所述沟槽的上部部分，所述屏蔽电极材料凹进在所述屏蔽氧化物材料内以形成凹部；多晶硅层间氧化物材料，所述多晶硅层间氧化物材料沉积在所述屏蔽电极材料上，填充所述凹部；以及栅极电极，所述栅极电极形成在所述多晶硅层间氧化物材料上方。
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