[实用新型]一种刻蚀承载盘有效
申请号: | 201821361333.7 | 申请日: | 2018-08-23 |
公开(公告)号: | CN208861953U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 李君杰;蔡家豪;邱智中;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型属于半导体制造设备领域,尤其涉及一种具有导热槽的刻蚀承载盘,包括盘体和盖板,所述盘体上具有复数个放置晶片的晶片凹槽以及固定盖板的固定孔,所述盖板与晶片凹槽对应位置设置暴露晶片的通孔,其特征在于,所述盘体为铝盘,所述盘体表面设置有至少一个与盘中心呈同心圆排列的第一导热槽。本实用新型采用成本低、可塑性强、导热性能高铝材质盘体替代传统的碳化硅盘体,并且在铝盘体表面设置交叉的第一导热槽和第二导热槽,从而省略传统的置于晶片凹槽底部的氦气孔,一方面可以实现刻蚀承载盘的高效导热和散热,另一方面,同时改善了刻蚀时氦气孔中氦气吹气晶片而产生的刻蚀不均匀现象,以及提高了刻蚀速率。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 盘体 导热槽 晶片凹槽 承载盘 本实用新型 传统的 氦气孔 盖板 晶片 铝盘 半导体制造设备 导热 同心圆排列 导热性能 放置晶片 固定盖板 可塑性强 盘体表面 不均匀 固定孔 铝材质 盘中心 碳化硅 体表面 散热 省略 吹气 复数 氦气 通孔 暴露 替代 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀承载盘,包括盘体和盖板,所述盘体上具有复数个放置晶片的晶片凹槽以及固定盖板的固定孔,所述盖板与晶片凹槽对应位置设置暴露晶片的通孔,其特征在于,所述盘体为铝盘,所述盘体表面设置有至少一个与盘中心呈同心圆排列的第一导热槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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