[实用新型]埋入式芯片有效
| 申请号： | 201821362051.9 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN208706581U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 谷新 | 申请（专利权）人： | 深南电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种埋入式芯片。该埋入式芯片包括：金属基底；金属层，设置在金属基底上，金属层内形成凹槽；芯片，设置在金属基底上，并位于凹槽中，芯片包括远离金属基底的第一芯片表面，在第一芯片表面上设置有连接端子；介质层，设置在芯片的第一芯片表面上；引出端子，与芯片的连接端子电连接，以将连接端子扇出。本申请通过将芯片设置在金属基底和金属层的凹槽中，使得芯片的多个面被金属材质包围，例如芯片包括六个面，则其五个面，包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围，由于金属的散热性良好，因此可对埋入的芯片进行有效的散热，提高了芯片的散热能力，适用于各种芯片的散热需求。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 金属基 金属层 埋入式芯片 连接端子 芯片表面 金属材质 包围 散热能力 散热需求 引出端子 电连接 介质层 散热性 散热 埋入 面被 扇出 申请 金属 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种埋入式芯片，其特征在于，所述埋入式芯片包括：金属基底；金属层，设置在所述金属基底上，所述金属层内形成凹槽；芯片，设置在所述金属基底上，并位于所述凹槽中，所述芯片包括远离所述金属基底的第一芯片表面，在所述第一芯片表面上设置有连接端子；介质层，设置在所述芯片的所述第一芯片表面上；引出端子，与所述芯片的连接端子电连接，以将所述连接端子扇出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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