[实用新型]一种硅-玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片有效
| 申请号： | 201821380692.7 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN208898498U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋一博;伞海生;李晓波 | 申请（专利权）人： | 杭州北芯传感科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山区萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片包括通过阳极键合的发光薄膜和玻璃晶片；发光薄膜包括依次设置的多晶硅层、隔离氧化硅层、硅器件层和黑硅层；玻璃晶片上设置有凹槽；多晶硅层中部为电加热多晶硅层，多晶硅层的外缘为高阻多晶硅层，电加热多晶硅层覆盖在玻璃晶片的凹槽上方形成密闭空腔；电加热多晶硅层背离玻璃晶片的一侧设置有金属电极，金属电极背离电加热多晶硅层的一侧与电源连接，所述电加热多晶硅层层通过金属电极与外部相连；玻璃晶片的凹槽底部或玻璃晶片的基底上沉积有金属红外反射层。该芯片具有耐高温、抗氧化、可靠性高、寿命长、光电效率高、可调制的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 玻璃晶片 电加热 红外光源芯片 玻璃密封 金属电极 黑硅 发光薄膜 背离 本实用新型 隔离氧化硅 红外反射层 电源连接 光电效率 硅器件层 密闭空腔 阳极键合 依次设置 多晶硅 黑硅层 抗氧化 耐高温 高阻 基底 沉积 调制 金属 芯片 外部 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种硅‑玻璃密封的黑硅表面红外光源芯片，其特征在于，包括通过阳极键合的发光薄膜和玻璃晶片；所述发光薄膜包括依次设置的多晶硅层、隔离氧化硅层、硅器件层和黑硅层；所述玻璃晶片上设置有凹槽；所述多晶硅层中部为电加热多晶硅层，所述多晶硅层的外缘为高阻多晶硅层，所述电加热多晶硅层覆盖在玻璃晶片的凹槽上方形成密闭空腔；所述电加热多晶硅层背离玻璃晶片的一侧设置有金属电极，所述金属电极背离电加热多晶硅层的一侧与电源连接，所述电加热多晶硅层通过金属电极与外部相连；所述玻璃晶片的凹槽底部或玻璃晶片的基底上沉积有金属红外反射层。
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