[实用新型]一种高浪涌电流能力碳化硅二极管有效
| 申请号： | 201821397084.7 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN208608203U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在碳化硅外延层内的上部设有若干个P型阱区，在P型阱区下方或下表面设有N型高阻区，在P型阱区内设有多个沟槽，位于边缘的沟槽与碳化硅外延层邻接，且沟槽从半导体基板的上表面穿过P型阱区延伸到N型高阻区内或依次穿过P型阱区、N型高阻区延伸到N型碳化硅外延层内；本实用新型通过设置N型高阻区，并在P型阱区内设有多个沟槽，使得器件在正常导通工作状态下，大幅增加了器件的浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 浪涌电流 高阻区 碳化硅二极管 碳化硅外延层 本实用新型 外延层 穿过 导通工作状态 半导体基板 半导体器件 上表面 下表面 邻接 延伸 衬底 高阻 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高浪涌电流能力碳化硅二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型碳化硅衬底及位于N型碳化硅衬底上的N型碳化硅外延层，在所述N型碳化硅外延层内的上部设有若干个P型阱区，其特征在于，在所述P型阱区下方或下表面设有N型高阻区，在P型阱区内设有多个沟槽，位于P型阱区边缘的沟槽与N型碳化硅外延层邻接，且沟槽从半导体基板的上表面穿过P型阱区延伸到N型高阻区内或依次穿过P型阱区、N型高阻区延伸到N型碳化硅外延层内，所述沟槽内填充有绝缘介质层。
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