[实用新型]一种增加VDMOS沟道密度的布图结构

摘要

本实用新型实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的布图结构,所述结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：每个元胞包括第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触孔；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一沟槽栅与第二沟槽栅平行设置，第三沟槽栅和接触孔置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；第一方向为垂直第一沟槽栅与第二沟槽栅的方向；第二方向为平行第一沟槽栅与第二沟槽栅的方向；接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距、接触孔至元胞内的第三沟槽栅的间距以及相邻元胞内第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距。

主权项

1.一种增加VDMOS沟道密度的布图结构，其特征在于，所述布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：每个元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和接触孔；其中每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅平行设置，所述第三沟槽栅和接触孔置于所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅之间；所述第一方向为垂直所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅的方向；所述第二方向为平行所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅的方向；其中，所述接触孔至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；所述第三沟槽栅至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；所述接触孔至所述元胞内的第三沟槽栅的间距以及距相邻元胞内的第三沟槽栅的间距均不小于所述第一最小间距。