[实用新型]存储器及半导体器件

摘要

本实用新型提供一种存储器及半导体器件，所述存储器包括：多个存储单元、多条位线与多条字线，每一存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容器，以及多个存储单元呈阵列式排布，其中存储单元的阵列的行方向和第一方向构成一平面，存储单元的阵列的列方向垂直于平面，位线沿着行方向延伸，并且同一行中的多个环栅晶体管所对应的多个漏区连接至同一位线，字线沿着列方向延伸，并且同一列中的多个环栅晶体管的栅极连接至同一字线，在第一方向与行方向的尺寸受到限制的情况下，可以在列方向上不断叠加存储单元以提高存储单元的数量，从而增加存储器的集成度。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：多个存储单元，每一所述存储单元均包含在第一方向上彼此连接的一环栅晶体管与一电容器，以及多个所述存储单元呈阵列式排布，其中所述存储单元的阵列的行方向和所述第一方向构成一平面，所述存储单元的阵列的列方向垂直于所述平面；多条位线，所述位线沿着所述行方向延伸，并且同一行中的多个所述环栅晶体管的漏区连接至同一所述位线；多条字线，所述字线沿着所述列方向延伸，并且同一列中的多个所述环栅晶体管的栅极连接至同一所述字线。