[实用新型]一种外延复合栅结构功率器件

摘要

本实用新型公开了一种外延复合栅结构功率器件，涉及半导体技术领域，该功率器件在传统功率器件的基础上采用了外延本征硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化硅和半绝缘多晶硅构成的多层复合栅结构，沟道的不同位置用不同结构栅极，通过创新的结构设计和材料匹配降低了器件沟道区的漏电，降低缺陷密度，从而降低了栅极缺陷和寄生电容，提升了功率器件的产品性能和可靠性。

主权项

1.一种外延复合栅结构功率器件，其特征在于，所述外延复合栅结构功率器件包括：衬底，以及设置在所述衬底表面的外延层；设置在所述外延层内部的体区，以及设置在所述体区内部的源区；设置在所述外延层表面的复合栅结构，所述复合栅结构包括复合硅层、半绝缘多晶硅层、氮氧化硅层和本征硅，所述本征硅设置在所述外延层的表面，所述氮氧化硅层设置在所述外延层的表面且位于所述本征硅外侧，所述复合硅层设置在所述外延层的表面且位于所述氮氧化硅层的外侧，所述复合硅层包括氮化硅层以及形成在所述氮化硅层的氧化硅制备窗口中的氧化硅层，所述半绝缘多晶硅层设置在所述复合硅层的表面，所述半绝缘多晶硅层、氮氧化硅层和本征硅的上表面齐平；设置在所述复合栅结构表面的多晶硅层；设置在所述外延层的表面且覆盖所述多晶硅层的介质层；以及，设置在在所述外延层的表面且覆盖所述介质层的金属层。