[实用新型]一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路有效
申请号: | 201821430121.X | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN208608972U | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 姜世君 | 申请(专利权)人: | 成都天箭科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K7/10 | 分类号: | H03K7/10 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 马林中 |
地址: | 610041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路,涉及脉冲调制电路技术领域,本实用新型包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及MOSFET管,所述MOSFET驱动器输出端内部设置有非电路,非电路的输出端直接与MOSFET管的栅极连接,并且还连接有上拉电阻R2,上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD,MOSFET管的漏极与功率放大模块连接,本实用新型的MOSFET管直接与MOSFET驱动器输出端内部的非电路连接,并且MOSFET管的栅极连接有上拉电阻R2,能够使MOSFET管的栅源电压VGS随着调制脉冲的变化而快速改变,从而确保MOSFET管的导通和截止状态的快速转换,有效提高发射射频信号的关断比,提高功率放大模块的工作速度,确保功率放大模块的工作效率。 | ||
搜索关键词: | 功率放大模块 脉冲调制电路 本实用新型 上拉电阻 输出端 微波集成电路 调制脉冲 栅极连接 砷化镓 电路 发射射频信号 输入端连接 电路连接 电源电压 工作效率 截止状态 快速转换 内部设置 栅源电压 导通 关断 漏极 源极 | ||
【主权项】:
1.一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路,包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及与MOSFET驱动器的输出端连接的MOSFET管,其特征在于:所述MOSFET管的栅极直接与MOSFET驱动器的输出端连接,并且还连接有上拉电阻R2,上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD,MOSFET管的漏极与功率放大模块连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都天箭科技股份有限公司,未经成都天箭科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821430121.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路
- 下一篇:一种过流保护电路