[实用新型]一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路有效

专利信息
申请号: 201821430121.X 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN208608972U 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 姜世君 申请(专利权)人: 成都天箭科技股份有限公司
主分类号: H03K7/10 分类号: H03K7/10
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 马林中
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路,涉及脉冲调制电路技术领域,本实用新型包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及MOSFET管,所述MOSFET驱动器输出端内部设置有非电路,非电路的输出端直接与MOSFET管的栅极连接,并且还连接有上拉电阻R2,上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD,MOSFET管的漏极与功率放大模块连接,本实用新型的MOSFET管直接与MOSFET驱动器输出端内部的非电路连接,并且MOSFET管的栅极连接有上拉电阻R2,能够使MOSFET管的栅源电压VGS随着调制脉冲的变化而快速改变,从而确保MOSFET管的导通和截止状态的快速转换,有效提高发射射频信号的关断比,提高功率放大模块的工作速度,确保功率放大模块的工作效率。
搜索关键词: 功率放大模块 脉冲调制电路 本实用新型 上拉电阻 输出端 微波集成电路 调制脉冲 栅极连接 砷化镓 电路 发射射频信号 输入端连接 电路连接 电源电压 工作效率 截止状态 快速转换 内部设置 栅源电压 导通 关断 漏极 源极
【主权项】:
1.一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路,包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及与MOSFET驱动器的输出端连接的MOSFET管,其特征在于:所述MOSFET管的栅极直接与MOSFET驱动器的输出端连接,并且还连接有上拉电阻R2,上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD,MOSFET管的漏极与功率放大模块连接。
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