[实用新型]浅沟槽隔离结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201821445560.8 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN209401612U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种浅沟槽隔离结构及半导体器件，首先通过隔离结构界定出有源区，且所述隔离结构中形成有若干气隙，所述隔离结构中的气隙可以使所述隔离结构的介电常数减小，从而降低相邻所述有源区之间的相互作用，达到降低了相邻的有源区之间的排锤效应，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离结构 半导体器件 源区 浅沟槽隔离结构 气隙 本实用新型 介电常数 减小 界定 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构形成于一衬底中并界定出多个有源区；其中，所述浅沟槽隔离结构包括填充于一隔离沟槽中的发泡材料层，且所述发泡材料层中形成有多个气隙，且所述气隙的分布是有序均匀的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
