[实用新型]半导体互连结构有效
| 申请号： | 201821445690.1 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN208706642U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体互连结构，包括：基底；介电层，位于基底的上表面，介电层内形成有接触孔；第一金属层，形成于接触孔的底部及侧壁上，第一金属层包括成核层；第二金属层，形成于第一金属层上，以填满接触孔，第二金属层包括种子层，第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率。本实用新型通过先于接触孔内低温形成第一金属层后再形成第二金属层，可以避免在接触孔内填充的金属层内部形成孔洞，从而可以有效降低填充的整体金属层的电阻值；第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，可以进一步降低填充的整体金属层的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 第一金属层 第二金属层 接触孔 电阻率 填充 本实用新型 互连结构 整体金属 介电层 电阻 基底 半导体 孔洞 低温形成 成核层 金属层 上表面 种子层 侧壁 填满 | ||
【主权项】：
1.一种半导体互连结构，其特征在于，所述半导体互连结构包括：基底；介电层，位于所述基底的上表面，所述介电层内形成有接触孔；第一金属层，形成于所述接触孔的底部及侧壁上，所述第一金属层包括成核层；及第二金属层，形成于所述第一金属层上，以填满所述接触孔，所述第二金属层包括种子层，所述第二金属层的电阻率小于所述第一金属层的电阻率。
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