[实用新型]用于晶片劈裂工艺的分离设备有效
| 申请号： | 201821448302.5 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN209169111U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈孟端 | 申请（专利权）人： | 正恩科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种分离设备包括：一用以劈裂晶片的作用装置以及一用以感测该作用装置所产生的劈裂力度的感测装置，故通过该感测装置的配置，以于劈裂作业时，可依据该晶片表面的厚度变化，适时调整该作用装置的劈裂力度，以确保劈裂作业的每一个晶片的劈裂品质的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 劈裂 作用装置 分离设备 感测装置 晶片 厚度变化 晶片表面 晶片劈裂 感测 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶片劈裂工艺的分离设备，其特征在于，该分离设备包括：作用装置，其用以将一晶片分离出多个晶粒；以及感测装置，其用以感测该作用装置作用于该晶片上的作用力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
