[实用新型]半导体存储器

摘要

本实用新型提供了一种半导体存储器。半导体存储器中其有源区的端部中形成有第二掺杂区，从而使位线能够从有源区的端部连接第二掺杂区，并且可以实现位线掩埋于衬底中并利用沟槽隔离结构隔离相邻的位线，从而可改善相邻的位线之间发生电容耦合的现象；同时，使位线掩埋在衬底中，相应的可缓解位线与形成在衬底之上的字线之间的寄生电容，进而提高半导体存储器的器件性能。此外，可同时制备存储阵列区中字线和周边晶体管的栅极导电层，节省工艺流程。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽隔离结构，并界定出多个有源区，所述有源区包括沿着第一方向延伸的第一延伸区和沿着第二方向延伸的第二延伸区，所述第一延伸区和所述第二延伸区的端部相互连接并构成一连接区，并且在所述第一延伸区远离所述连接区的衬底中形成有第一掺杂区，以及在所述第二延伸区远离所述连接区的衬底中形成有第二掺杂区；多条位线，形成在所述衬底中并沿着所述第一方向延伸，并且所述位线至少部分形成在所述沟槽隔离结构中，并在垂直于位线延伸方向上还从所述沟槽隔离结构中横向扩展至所述第二延伸区，以使所述位线与所述第二掺杂区电性连接；以及，多条字线，形成在所述衬底上并沿着所述第二方向延伸，所述字线覆盖所述有源区的所述连接区。