[实用新型]一种背接触异质结太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201821457785.5 申请日: 2018-09-06
公开(公告)号: CN208722902U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 薛俊明;李森;高建军;王燕增;代杰;张金娟;赵学亮;王珊珊;陈金端 申请(专利权)人: 河北汉盛光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20
代理公司: 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 代理人: 李彤晓
地址: 053800 河北省*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种背接触异质结太阳能电池,属于太阳能光伏电池的技术领域,包括衬底,在衬底的正面依次向上设置有非晶SiOx层、非晶SiNx层,在衬底的背面借助绝缘隔离区间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区,所述电子产生及收集区包括在衬底背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1、n型氢化纳米硅层、本征氢化非晶硅层I2、p型氢化纳米硅层、ITO层、电子收集电极;所述的空穴产生及收集区包括在衬底背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2、p型氢化纳米硅层、ITO层、空穴收集电极。本实用新型提高了电池的转换效率、降低了生产成本,结构更优化。
搜索关键词: 收集区 本征氢化非晶硅 纳米硅层 衬底 氢化 异质结太阳能电池 空穴 衬底背面 电子产生 背接触 非晶 太阳能光伏电池 电子收集电极 空穴收集电极 本实用新型 交替设置 向上设置 转换效率 隔离区 绝缘 生产成本 背面 电池 优化
【主权项】:
1.一种背接触异质结太阳能电池,包括衬底(1),其特征在于,在衬底(1)的正面依次向上设置有非晶SiOx层(2)、非晶SiNx层(3),在衬底(1)的背面借助绝缘隔离区(10)间隔、交替设置有电子产生及收集区和空穴产生及收集区,所述电子产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I1(4)、n型氢化纳米硅层(5)、本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、电子收集电极(11);所述的空穴产生及收集区包括在衬底(1)背面依次向外设置的本征氢化非晶硅层I2(7)、p型氢化纳米硅层(8)、ITO层(9)、空穴收集电极(12)。
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