[实用新型]半导体芯片、半导体芯片电性测试电路有效
| 申请号： | 201821459275.1 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN208655576U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体芯片、半导体芯片电性测试电路，属于半导体技术领域。该半导体芯片包括：第一电连接点，用于连接开尔文测试电路的驱动电源的第一极；第二电连接点，用于连接所述开尔文测试电路的检测装置的第一端；其中，所述第一电连接点与所述第二电连接点在所述半导体芯片内部相互导通，所述驱动电源的第一极与所述检测装置的第一端处于所述开尔文测试电路的同一侧。本实用新型可以消除半导体芯片外部的接触电阻及传输电阻对电性测试的影响，提高测试的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 电连接点 测试电路 电性测试电路 本实用新型 检测装置 驱动电源 第一端 第一极 半导体技术领域 传输电阻 电性测试 接触电阻 导通 测试 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：第一电连接点，用于连接开尔文测试电路的驱动电源的第一极；第二电连接点，用于连接所述开尔文测试电路的检测装置的第一端；其中，所述第一电连接点与所述第二电连接点在所述半导体芯片内部相互导通，所述驱动电源的第一极与所述检测装置的第一端处于所述开尔文测试电路的同一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
