[实用新型]浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821461597.X | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN209045527U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 穆天蕾 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，该结构包括：具有沟槽的半导体衬底，沟槽形成于半导体衬底中；第一二氧化硅层，形成于沟槽中并与沟槽底部之间形成空腔；第二二氧化硅层，形成于第一二氧化硅层的表面，且第二二氧化硅层的上表面与沟槽上表面齐平。通过在浅沟槽隔离结构中，将沟槽的下部分设置为空腔，上部填充介质层，形成的空腔的大小、形状及位置等都可通过该制备方法稳定控制，从而保证器件性能的稳定和质量的提高；另外，由于空气的相对介电常数接近于1，可有效提高浅沟槽隔离结构的绝缘效果同时降低寄生电容，从而进一步提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 二氧化硅层 空腔 衬底 半导体 相对介电常数 本实用新型 上表面齐平 沟槽形成 寄生电容 绝缘效果 器件性能 稳定控制 集成度 介质层 上表面 填充 制备 保证 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有沟槽，所述沟槽形成于所述半导体衬底中；第一二氧化硅层，形成于所述沟槽中并与所述沟槽底部之间形成空腔；第二二氧化硅层，形成于所述第一二氧化硅层的表面，且所述第二二氧化硅层的上表面与所述沟槽上表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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