[实用新型]像素结构以及阵列基板有效
申请号: | 201821463382.1 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN208738252U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 李新国;郝学光;乔勇;吴新银 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种像素结构,属于显示技术领域,其可至少部分解决现有的像素结构的存储电容的容量小的问题。本实用新型的一种像素结构,包括基底以及设于基底上的存储电极、像素电极、晶体管,晶体管的漏极与像素电极电连接,晶体管的有源层包括漏极区、源极区、位于漏极区和源极区之间的沟道区、与漏极区连接的存储区,存储区与存储电极相对设置以构成存储电容的至少一部分;有源层由半导体材料构成,漏极区、源极区、存储区由导体化的半导体材料构成。 | ||
搜索关键词: | 像素结构 漏极区 源极区 晶体管 半导体材料 存储电极 存储电容 像素电极 基底 源层 本实用新型 相对设置 导体化 电连接 沟道区 漏极 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括基底以及设于所述基底上的存储电极、像素电极、晶体管,所述晶体管的漏极与所述像素电极电连接,其特征在于,所述晶体管的有源层包括漏极区、源极区、位于所述漏极区和所述源极区之间的沟道区、与所述漏极区连接的存储区,所述存储区与所述存储电极相对设置以构成存储电容的至少一部分;所述有源层由半导体材料构成,所述漏极区、所述源极区、所述存储区由导体化的半导体材料构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的