[实用新型]集成电路芯片有效
申请号: | 201821469395.X | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN209071323U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本公开是关于一种集成电路芯片,包括衬底、多层导电层、熔断器、介电层和闩锁电路;其中,相邻的导电层之间设置有介电层,所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层,所述介电层上设置有接触孔;熔断器位于第一介电层上的接触孔中,所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层;闩锁电路设置在所述衬底上,和所述熔断器连接。在集成电路芯片测试时,触发闩锁效应,使得闩锁电路中的电流不断增大,直至烧断熔断器,实现了对熔断器测试时的熔断。并且在测试多个熔断器时,只需顺序触发每个熔断器的闩锁电路即可,提升了测试效率,节约了测试时间。 | ||
搜索关键词: | 介电层 熔断器 闩锁电路 衬底 集成电路芯片 导电层 接触孔 测试 集成电路芯片测试 熔断 多层导电层 测试效率 顺序触发 闩锁效应 触发 多层 烧断 节约 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路芯片,其特征在于,包括:衬底;多层导电层,其中,相邻的导电层之间设置有介电层,所述衬底和与其相邻的导电层之间设置有介电层,所述介电层上设置有接触孔;熔断器,位于第一介电层上的接触孔中,所述第一介电层为多层所述介电层中的任一层介电层;闩锁电路,设置在所述衬底中,和所述熔断器连接。
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