[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201821482895.7 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208767306U | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，其包括：半导体衬底；多个浅沟槽隔离结构，位于半导体衬底中并定义出一有源区；多个栅沟槽，位于有源区中；多个掩埋栅结构，位于多个栅沟槽中；以及漏区，位于多个掩埋栅结构之间，其中，各个掩埋栅结构包括：栅电介质层，覆盖栅沟槽的底表面和侧壁；功函数层，位于栅电介质层之上；以及栅导电层，覆盖功函数层并填充栅沟槽，其中，功函数层包括第一功函数层和第二功函数层，第一功函数层至少覆盖栅沟槽的底表面，第二功函数层从第一功函数层延续并与栅沟槽的侧壁重叠，第二功函数层具有比第一功函数层低的功函数。本实用新型改善了栅诱导漏极泄漏(GIDL)发生的可能性，提高了MOSFET的可靠性，进而提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数层 栅沟槽 掩埋栅结构 半导体器件 本实用新型 栅电介质层 侧壁 衬底 源区 半导体 覆盖 浅沟槽隔离结构 填充栅沟槽 产品良率 栅导电层 功函数 漏极 漏区 泄漏 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；多个浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底中并定义出一有源区；多个栅沟槽，位于所述有源区中；多个掩埋栅结构，位于所述多个栅沟槽中；以及漏区，位于所述多个掩埋栅结构之间，其中，各个所述掩埋栅结构包括：栅电介质层，覆盖所述栅沟槽的底表面和侧壁；功函数层，位于所述栅电介质层之上；以及栅导电层，覆盖所述功函数层并填充所述栅沟槽，其中，所述功函数层包括第一功函数层和第二功函数层，所述第一功函数层至少覆盖所述栅沟槽的底表面，所述第二功函数层从所述第一功函数层延续并与所述栅沟槽的侧壁重叠，所述第二功函数层具有比所述第一功函数层低的功函数。
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