[实用新型]集成电路存储器有效
| 申请号： | 201821485403.X | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN208655632U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 江文湧;林仕杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种集成电路存储器，通过在对应同一有源区的两条字线之间的沟槽隔离结构中形成绝缘结构，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电常数，从而减小了对应同一有源区的两条所述字线之间的寄生电容，提高了集成电路存储器的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路存储器 沟槽隔离结构 介电常数 绝缘结构 源区 字线 本实用新型 寄生电容 减小 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路存储器，其特征在于，所述集成电路存储器包括：衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出多个有源区，多条平行排布的字线，形成于所述衬底中，并且所述字线与相应的所述有源区相交并延伸至所述沟槽隔离结构中，每个所述有源区均与两条所述字线相交；多个绝缘结构，形成在所述沟槽隔离结构中，并位于对应同一有源区的两条字线之间，且所述绝缘结构的材料的介电常数小于所述沟槽隔离结构的材料的介电常数。
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