[实用新型]反熔丝结构有效

专利信息
申请号: 201821485456.1 申请日: 2018-09-10
公开(公告)号: CN208655628U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型提供了一种反熔丝结构,在隔离结构圈起的衬底中形成有功能阱及第一底部隔离阱,功能阱自衬底上表面延伸至衬底中,第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方,在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成有侧部隔离阱及第二底部隔离阱,侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构,第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方,第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型,和功能阱分属不同离子注入类型,第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层,由此能够得到低制造成本的反熔丝结构。
搜索关键词: 隔离阱 衬底 反熔丝 衬底上表面 隔离结构 离子 离子注入工艺 本实用新型 制造成本 组合层 延伸 包覆 图案
【主权项】:
1.一种反熔丝结构,其特征在于,包括:一衬底,所述衬底中形成有多个隔离结构,所述隔离结构自所述衬底上表面延伸至所述衬底中,所述隔离结构呈环形并圈起部分所述衬底;一功能阱,形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中,所述功能阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中;一第一底部隔离阱,形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中,所述第一底部隔离阱同图形位于所述功能阱的下方,其中所述功能阱和所述第一底部隔离阱分属不同离子注入类型;一侧部隔离阱,与所述功能阱图案互补方式形成在所述衬底中,所述侧部隔离阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中并包覆所述隔离结构,以隔离相邻的所述功能阱;一第二底部隔离阱,形成在所述衬底中,所述第二底部隔离阱同图形位于所述侧部隔离阱的下方,其中所述第一底部隔离阱、所述侧部隔离阱和所述第二底部隔离阱属于相同离子注入类型,所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱相连成一底部隔离阱组合层;及一反熔丝,所述反熔丝形成在所述功能阱上。
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