[实用新型]基于OFDR的硅光芯片温度测量装置有效

专利信息
申请号: 201821487616.6 申请日: 2018-09-12
公开(公告)号: CN208833396U 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 王辉文;张晓磊;温永强 申请(专利权)人: 武汉隽龙科技股份有限公司
主分类号: G01K11/00 分类号: G01K11/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 许美红
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种基于OFDR的硅光芯片温度测量装置,该装置包括线性扫频激光器、光纤分束器、光纤环形器、硅光芯片、模斑变换器、光纤耦合器、光电探测器、数据采集卡和计算机。本实用新型基于光频域反射技术,将待测硅光芯片本身作为传感器,光通过模斑变换器进出芯片。该测量方式具有空间分辨率高、精度高的特点,解决了传统传感手段传感器布设复杂、测量结果易受外界影响等问题,特别适用于微小硅光芯片温度测量。
搜索关键词: 硅光 芯片温度测量 本实用新型 模斑变换器 芯片 传感器 光电探测器 光纤分束器 光纤环形器 光纤耦合器 空间分辨率 扫频激光器 数据采集卡 传感手段 外界影响 域反射 布设 光频 测量 计算机
【主权项】:
1.一种基于OFDR的硅光芯片温度测量装置,其特征在于,包括线性扫频激光器、光纤分束器、光纤环形器、硅光芯片、模斑变换器、光纤耦合器、光电探测器、数据采集卡和计算机,其中:所述光纤分束器将所述线性扫频激光器输出的扫频激光分为两路,一路为信号光,另一路为参考光;信号光进入所述光纤环形器,参考光进入所述光纤耦合器;所述模斑变换器连接在所述光纤环形器和所述硅光芯片之间,且所述模斑变换器通过单模光纤与所述光纤环形器连接;所述硅光芯片通过所述模斑变换器与单模光纤耦合,信号光通过所述模斑变换器进出所述硅光芯片;所述硅光芯片上每一处产生的瑞利散射信号沿路返回进入所述光纤耦合器,与参考光在所述光纤耦合器处发生拍频干涉,产生拍频干涉信号;所述光电探测器与所述光纤耦合器连接,将所述拍频干涉信号转化为电信号;所述数据采集卡与所述光电探测器连接,通过多通道同时采集电信号中的拍频干涉信号;所述计算机与所述线性扫频激光器、所述数据采集卡连接,控制所述线性扫频激光器和所述数据采集卡,该计算机还对采集信号进行解调。
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