[实用新型]P型PERC电池结构有效
| 申请号： | 201821488341.8 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN208797020U | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王圣;徐硕贤;金佳源;宋剑;董超;袁占强;陈景;张双玉 | 申请（专利权）人： | 江苏林洋光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 刘畅;夏平 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种P型PERC电池结构，包括硅片层(1)以及依次设于硅片层(1)正面的氧化硅层(2)、氮化硅层(3)和正电极(4)，其特征在于所述硅片层(1)的背面依次设有背氧化铝层(5)、第一背氧化硅层(6)、背氮化硅层(7)、第二背氧化硅层(8)和背电极(9)；通孔(10)贯穿第二背氧化硅层(8)、背氮化硅层(7)、第一背氧化硅层(6)和背氧化铝层(5)并延伸至硅片层(1)中；通孔(10)中填充背电极(9)。第一背氧化硅层SiOx、背氮化硅层SiNx和第二背氧化硅层SiOx组成ONO叠层膜，ONO的氮化硅层居SiNx中可阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅层 氮化硅层 硅片层 电池结构 氧化铝层 背电极 通孔 本实用新型 背表面 三层膜 正电极 填充 延展 背面 复合 阻挡 延伸 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种P型PERC电池结构，包括硅片层(1)以及依次设于硅片层(1)正面的氧化硅层(2)、氮化硅层(3)和正电极(4)，其特征在于所述硅片层(1)的背面依次设有背氧化铝层(5)、第一背氧化硅层(6)、背氮化硅层(7)、第二背氧化硅层(8)和背电极(9)；通孔(10)贯穿第二背氧化硅层(8)、背氮化硅层(7)、第一背氧化硅层(6)和背氧化铝层(5)并延伸至硅片层(1)中；通孔(10)中填充背电极(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
