[实用新型]涂敷处理装置有效
| 申请号： | 201821505787.7 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN209216927U | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 上村良一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种涂敷处理装置，即使在涂敷处理粘度高的处理液时发生处理液的拉丝，通过除去拉丝的处理液，缩短处理时间，并且预防拉丝处理液附着在基片上。能够在保持于基片保持部(6)中的晶片(W)的周缘部附近从下方上升的拉丝除去棒(10a、10b)设置于内罩体(9)内。利用升降机构(11a、11b)，拉丝除去棒(10a、10b)移动至比晶片(W)的上表面更高的位置。通过拉丝除去棒(10a、10b)的上升，利用拉丝除去棒(10a、10b)除去从晶片(W)的周缘部向外方延伸的拉丝状态的抗蚀剂液。 | ||
| 搜索关键词： | 拉丝 处理液 晶片 涂敷处理装置 周缘部 本实用新型 基片保持部 抗蚀剂液 拉丝处理 升降机构 内罩体 上表面 附着 涂敷 外方 延伸 移动 预防 | ||
【主权项】：
1.一种涂敷处理装置，其向基片的表面供给粘度高的处理液来形成涂敷膜，所述涂敷处理装置的特征在于，包括：将基片保持为水平并使该基片绕铅垂轴旋转的基片保持部；包围保持于所述基片保持部上的基片的周围的外罩体；在所述罩体的内部设置于与基片背面相对的位置的内罩体；和液体捕获机构，其用于捕获供给到所述基片的处理液因由旋转产生的离心力流出到比所述基片周缘部靠外侧的所述处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
