[实用新型]半导体器件

摘要

本实用新型提供一种半导体器件，包括基底、在基底上设置的硬掩膜层及在硬掩膜层上设置的第一牺牲层，在第一牺牲层形成有微图案。本实用新型提高了半导体器件的套刻精度，避免了接触电阻和寄生电容问题的产生，大大提高了产品成品率，同时本实用新型产品结构简单，成本低。

主权项

1.一种半导体器件，包括基底、在所述基底上设置的硬掩膜层及在所述硬掩膜层上设置的第一牺牲层，在所述第一牺牲层上形成有微图案，其特征在于，所述微图案的通过以下步骤以达成，在所述第一牺牲层上设置第二牺牲层，在所述第二牺牲层上设置第三牺牲层；刻蚀所述第三牺牲层，利用曝光显影和图形转置形成第一点状图案，所述第一点状图案由第一列图案柱在所述第二牺牲层上组合形成；刻蚀所述第二牺牲层，利用曝光显影和图形转置形成第二点状图案，所述第二点状图案由第一列图案柱和第二列图案柱在所述第一牺牲层上组合构成，所述第一列图案柱和所述第二列图案柱之间的间隔包括小间隔和大间隔；在所述第二点状图案上沉积自对准覆盖层，所述自对准覆盖层完全覆盖所述小间隔，在所述自对准覆盖层上沉积第四牺牲层，再利用自对准形成第三点状图案，所述第三点状图案由第一列图案柱、第二列图案柱及第三列图案柱在所述第一牺牲层上组合形成，所述第三列图案柱位于所述大间隔内；以所述第三点状图案为掩膜对所述第一牺牲层进行刻蚀在所述第一牺牲层形成微图案。