[实用新型]一种浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821522868.8 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208923085U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陶大伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括衬底、隔离沟槽、第一填充介质、第二填充介质、孔隙及第三填充介质，其中，隔离沟槽形成于衬底中，以在衬底中界定出多个有源区，第一填充介质形成于隔离沟槽的侧壁，第二填充介形成于隔离沟槽中部，孔隙位于第一填充介质与第二填充介质之间，第三填充介质形成于孔隙顶部，以将孔隙封口。本实用新型在浅沟槽隔离结构中引入了孔隙，该孔隙中可以包括空气，由于空气介电常数只有1.0，可以有效降低隔离沟槽中填充介质的K值，从而增强沟槽的隔离性能，降低在浅沟槽隔离处产生的寄生电容，减少器件间的相互干扰，提高器件的运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 隔离沟槽 浅沟槽隔离结构 衬底 本实用新型 空气介电常数 封口 浅沟槽隔离 隔离性能 寄生电容 侧壁 界定 源区 引入 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：衬底；隔离沟槽，形成于所述衬底中，以在所述衬底中界定出多个有源区第一填充介质，形成于所述隔离沟槽的侧壁；第二填充介质，形成于所述隔离沟槽中部；孔隙，位于所述第一填充介质与所述第二填充介质之间；第三填充介质，形成于所述孔隙顶部，以将所述孔隙封口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
