[实用新型]一种集中电流注入的VCSEL芯片有效
| 申请号： | 201821526256.6 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN208571230U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根;陈伟明;许勇辉;郭河 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种集中电流注入的VCSEL芯片，所述集中电流注入的VCSEL芯片在外延结构上还设置有电流集中层，该电流集中层配合位于电流集中层两侧的绝缘层以及电连接层，构成了一条从电极结构—电极集中层—导电结构—量子阱层的电流通路，并且由于电流集中层在衬底上的正投影，位于导电结构在衬底上的正投影中，使得形成的该电流通路均匀的分布在导电结构中，避免了电流集中在氧化结构边缘的情况出现，提高了VCSEL芯片内部的电流均匀性，使得所述集中电流注入的VCSEL芯片能够实现单模光的出射。 | ||
| 搜索关键词： | 电流集中 导电结构 电流通路 正投影 衬底 绝缘层 电流均匀性 电极结构 电连接层 量子阱层 外延结构 氧化结构 电极 出射 单模 申请 配合 | ||
【主权项】：
1.一种集中电流注入的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括位于所述衬底表面依次层叠设置的量子阱层、限制层和电极接触层；所述限制层包括导电结构和位于所述导电结构两侧的氧化结构位于所述电极接触层背离所述衬底一侧，部分覆盖所述电极接触层的电流集中层，所述电流集中层在所述衬底上的正投影，位于所述导电结构在所述衬底上的正投影中；位于所述电流集中层两侧，覆盖所述电极接触层的裸露表面以及部分所述电流集中层侧壁的绝缘层；覆盖所述绝缘层、所述电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；位于所述电连接层背离所述衬底一侧，且部分覆盖所述电连接层的电极结构，所述电连接层未被所述电极结构覆盖的区域在所述衬底上的正投影覆盖所述电极接触层在所述衬底上的正投影。
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