[实用新型]一种二硫化钨晶体管有效
| 申请号： | 201821530443.1 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN209150119U | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 韩琳;姜建峰;张宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种二硫化钨晶体管，该晶体管的二维二硫化钨层具有被修复的硫空位和内部缺陷，可以减少缺陷导致的额外的散射，以及减少的界面陷阱；本实用新型的二硫化钨晶体管可以实现高场效应迁移率和低阈值电压，具有很好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 二硫化钨 本实用新型 低阈值电压 二硫化钨层 界面陷阱 内部缺陷 器件性能 迁移率 空位 散射 二维 高场 修复 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钨晶体管，其特征在于，包括：硅片；位于硅片上的栅极；位于栅极上的二氧化硅介质层；位于二氧化硅介质层上的三氧化二铝介质层；位于三氧化二铝介质层上的多层二维半导体层，该二维半导体层为二维二硫化钨层；其中，该二维二硫化钨层进行了等离子体处理；位于二维二硫化钨层上的源/漏电极；位于二维二硫化钨层和源/漏电极上的PMMA介质层。
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