[实用新型]忆阻器和阻变式存储器有效
| 申请号： | 201821535391.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208690303U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人： | 范华英;毛威 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种忆阻器和阻变式存储器(RRAM)。忆阻器包括金属或者金属化合物制成的上电极、金属硼化物制成的下电极和阻变材料层制成的阻变层，所述阻变层设置在所述上电极与所述下电极之间。利用金属硼化物制备的RRAM电极完全兼容CMOS制造工艺，并且改善RRAM的产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 忆阻器 金属硼化物 存储器 下电极 阻变层 金属化合物 阻变材料层 产品性能 制备 兼容 金属 申请 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括:金属或者金属化合物制成的上电极；金属硼化物制成的下电极；和阻变材料层制成的阻变层，所述阻变层设置在所述上电极与所述下电极之间。
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