[实用新型]多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘有效
| 申请号： | 201821538296.2 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208848903U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 袁晓颖;周婷婷;陈学芹;叶花勇;殷晓;金国根;顾玉萍;周丽;孙凤珠;俞晨彬 | 申请（专利权）人： | 力成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘，其涉及闪存盘领域。旨在解决传统闪存盘无法通过使用大尺寸的芯片来提高存储容量的问题。其技术方案要点包括基板、Controller控制芯片以及NAND存储芯片，所述基板与NAND存储芯片之间设置有第一垫片，所述第一垫片与基板之间形成让位空间；所述Controller控制芯片与基板连接，且与所述让位空间相交。本实用新型能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘的存储容量。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存盘 基板 存储芯片 本实用新型 存储容量 堆叠结构 多层芯片 控制芯片 让位空间 垫片 技术方案要点 尺寸受限 基板连接 应用 相交 芯片 灵活 | ||
【主权项】：
1.一种多层芯片堆叠结构，包括基板(1)、Controller控制芯片(5)以及NAND存储芯片(4)，其特征在于：所述基板(1)与NAND存储芯片(4)之间设置有第一垫片(2)，所述第一垫片(2)与基板(1)之间形成让位空间(7)；所述Controller控制芯片(5)与基板(1)连接，且与所述让位空间(7)相交。
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