[实用新型]芯片密封环结构和半导体芯片有效
| 申请号： | 201821541535.X | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208706620U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种芯片密封环结构和半导体芯片，其中，芯片密封环结构至少包括：芯片；底保护层，位于所述芯片的主动面上；第一密封金属环，位于所述底保护层上，且位于所述芯片的主动面周边；第二密封金属环，位于所述第一密封金属环上；绝缘介质层，位于所述底保护层上，所述绝缘介质层具有暴露所述第二密封金属环的隔离环槽，所述隔离环槽的底部未暴露所述底保护层；以及防潮层，位于所述绝缘介质层上及所述隔离环槽内，所述防潮层覆盖所述第二密封金属环的第一暴露部位以及所述绝缘介质层在所述隔离环槽内的第二暴露部位。本实用新型能够有效避免芯片的内部器件受到气液氧化或者侵蚀，大大增强了气液阻挡能力。 | ||
| 搜索关键词： | 密封金属环 绝缘介质层 底保护层 隔离环槽 芯片密封 环结构 芯片 暴露 半导体芯片 本实用新型 防潮层 气液 内部器件 主动面 阻挡 侵蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种芯片密封环结构，其特征在于，包括：芯片(10)；底保护层(11)，位于所述芯片(10)的主动面上；第一密封金属环(12A)，位于所述底保护层(11)上，且位于所述芯片(10)的主动面周边；第二密封金属环(12B)，以堆栈方式设置于所述第一密封金属环(12A)上；绝缘介质层(13)，位于所述底保护层(11)上，所述绝缘介质层(13)具有暴露所述第二密封金属环(12B)的隔离环槽(132)，所述隔离环槽(132)的底部未暴露所述底保护层(11)；以及，防潮层(15)，位于所述绝缘介质层(13)上及所述隔离环槽(132)内，所述防潮层(15)覆盖所述第二密封金属环(12B)的第一暴露部位(12a)以及所述绝缘介质层(13)在所述隔离环槽(132)内的第二暴露部位(13a)；其中，所述防潮层(15)、所述第一密封金属环(12A)和所述第二密封金属环(12B)使所述绝缘介质层(13)隔离为周边层部和中央层部，所述芯片密封环结构通过所述第一密封金属环(12A)、所述第二密封金属环(12B)和所述防潮层(15)的组合来增强气液阻挡能力，从而避免所述芯片(10)在所述中央层部中的内部器件受到气液氧化或侵蚀。
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