[实用新型]芯片密封环结构和半导体芯片有效
| 申请号： | 201821542298.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN208706621U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种芯片密封环结构和半导体芯片，其至少包括：芯片；底保护层，位于所述芯片的主动面上；密封环金属层图案，位于所述底保护层上，且所述密封环金属层图案位于所述芯片周边；绝缘介质层，位于所述底保护层上，所述绝缘介质层具有隔离开口，所述隔离开口暴露所述密封环金属层图案和所述底保护层；以及，防潮层，位于所述绝缘介质层上及所述隔离开口内，所述防潮层覆盖所述密封环金属层图案的第一暴露部位以及所述底保护层在所述隔离开口内的第二暴露部位。本实用新型在密封环金属层图案表面形成防潮层，能够有效避免金属层在制程过程中直接暴露在空气中受到氧气、水汽或其他气液的氧化或侵蚀，大大增强了气液阻挡能力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层图案 底保护层 密封环 绝缘介质层 防潮层 开口 隔离 暴露 半导体芯片 本实用新型 芯片密封 环结构 气液 芯片 表面形成 芯片周边 水汽 金属层 制程 氧气 阻挡 侵蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构至少包括：芯片(10)；底保护层(11)，位于所述芯片(10)的主动面上；密封环金属层图案(12)，位于所述底保护层(11)上，且所述密封环金属层图案(12)位于所述芯片(10)的主动面周边；绝缘介质层(13)，位于所述底保护层(11)上，所述绝缘介质层(13)具有隔离开口(132)，所述隔离开口(132)暴露所述密封环金属层图案(12)和所述底保护层(11)；以及，防潮层(15)，位于所述绝缘介质层(13)上及所述隔离开口(132)内，所述防潮层(15)覆盖所述密封环金属层图案(12)的第一暴露部位(12a)以及所述底保护层(11)在所述隔离开口(132)内的第二暴露部位(11a)；其中，所述芯片密封环结构通过覆盖在所述密封环金属层图案(12)上的所述防潮层(15)来增强气液阻挡能力，从而避免所述密封环金属层图案(12)受到气液氧化或侵蚀。
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