[实用新型]一种增强正面钝化的PERC太阳能电池有效
| 申请号： | 201821545657.6 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN209298126U | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区北辰经*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种增强正面钝化的PERC太阳能电池，它包括从下至上依次设置的背银电极、全铝背场或铝栅线、背面钝化膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极，在所述背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，全铝背场或铝栅线通过开槽与P型硅相连，所述N型发射极包括掺杂磷源的多晶硅薄膜或碳化硅薄膜。本实用新型以掺杂磷源的多晶硅薄膜或碳化硅薄膜取代常规的扩散磷源N型硅，可以实现电池正面钝化，显著降低电极接触区域复合速度，提高钝化效果，提升电池的光电转换效率。另外，本实用新型制备工艺简单，设备投入成本低，与现有生产线兼容性好，对现有生产线进行简单改造后即可使用，适于广泛推广和适用。 | ||
| 搜索关键词： | 背面钝化膜 本实用新型 钝化 磷源 多晶硅薄膜 碳化硅薄膜 太阳能电池 背场 开槽 铝栅 全铝 掺杂 电极接触区域 光电转换效率 设备投入成本 背银电极 电池正面 钝化效果 依次设置 正银电极 制备工艺 常规的 钝化膜 兼容性 电池 贯通 复合 扩散 改造 | ||
【主权项】：
1.一种增强正面钝化的PERC太阳能电池，它包括从下至上依次设置的背银电极、全铝背场或铝栅线、背面钝化膜、P型硅、N型发射极、正面钝化膜和正银电极，在所述背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，全铝背场或铝栅线通过开槽与P型硅相连，其特征在于：所述N型发射极包括磷掺杂多晶硅薄膜或磷掺杂碳化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
