[实用新型]一种半导体结构

摘要

本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底、隔离沟槽、多条字线沟槽、栅极及导电层，其中，隔离沟槽形成于衬底中，以在衬底中界定出多个有源区，隔离沟槽下部依次填充有第一介质层与第二介质层；多条字线沟槽形成于衬底中，字线沟槽包括穿过有源区的栅极沟槽、穿过隔离沟槽的导电沟槽以及位于导电沟槽的底部两侧并与导电沟槽连通的微沟槽；栅极形成于栅极沟槽中；导电层形成于隔离沟槽上部，并填充微沟槽。该微沟槽中填充的导电层增加了导电沟槽的宽度，并且微沟槽的导电层与栅极的导电层连接形成一导电区域。本实用新型在不增加晶体管尺寸的同时，保证导电沟道宽度的增加，有利于提高存取晶体管的驱动电流和导通电流。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；隔离沟槽，形成于所述衬底中，以在所述衬底中界定出多个有源区，所述隔离沟槽下部依次填充有第一介质层与第二介质层；多条字线沟槽，形成于所述有源区和所述隔离沟槽中，所述字线沟槽包括穿过所述有源区的栅极沟槽、穿过所述隔离沟槽的导电沟槽以及位于所述导电沟槽的底部两侧并与所述导电沟槽连通的微沟槽；栅极，形成于所述栅极沟槽中；导电层，形成于所述隔离沟槽上部，并填充进所述微沟槽。