[实用新型]一种功率半导体器件封装结构有效
| 申请号： | 201821595515.0 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN209045529U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 武伟;王亮;林仲康;张朋;李现兵 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/31;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率半导体器件封装结构，该封装结构包括：至少一个封装子模组，该封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，功率芯片设置于下垫片上；上垫片设置于功率芯片上；上垫片的尺寸不小于下垫片的尺寸，且上垫片的尺寸与下垫片的尺寸的差异小于预设差值；下框架设置于功率芯片和下垫片之间，下框架与功率芯片的终端区粘接，通过实施本实用新型，有效地减小了功率半导体器件封装时芯片的弯曲，避免了芯片因产生裂纹甚至发生脆断而失效；另一方面减小甚至消除了芯片终端和下框架之间的间隙，显著增加了芯片的耐压等级，满足电力系统对器件电压等级的要求，提高了功率半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率芯片 下垫片 上垫片 下框架 功率半导体器件封装 本实用新型 芯片 子模组 减小 封装 功率半导体器件 电力系统 封装结构 器件电压 芯片终端 栅极探针 有效地 终端区 脆断 耐压 预设 粘接 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：至少一个封装子模组，所述封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，所述功率芯片设置于所述下垫片上；所述上垫片设置于所述功率芯片上；所述上垫片的尺寸不小于所述下垫片的尺寸，且所述上垫片的尺寸与所述下垫片的尺寸的差异小于预设差值；所述下框架设置于所述功率芯片和所述下垫片之间，所述下框架与所述功率芯片的终端区粘接。
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