[实用新型]半导体器件和集成电路有效
| 申请号： | 201821598063.1 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN208904025U | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了半导体器件，包括：半导体衬底；栅极结构，位于半导体衬底之上；轻掺杂区，位于半导体衬底内且位于栅极结构两侧；以及源极结构和漏极结构，分别位于栅极结构两侧且位于轻掺杂区内，轻掺杂区的掺杂浓度小于源极结构、漏极结构的掺杂浓度，其中，轻掺杂区形成有点缺陷。基于此，本公开还提供了包括至少两个半导体器件的集成电路。本公开能够在不加大制造工艺的复杂程度和集成电路面积的同时提高半导体器件的击穿电压，能基于同一工艺制造出具有不同击穿电压的半导体器件且不影响开关速度等工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 轻掺杂区 栅极结构 衬底 集成电路 半导体 击穿电压 漏极结构 源极结构 掺杂 工作性能 同一工艺 影响开关 制造工艺 轻掺杂 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底之上；轻掺杂区，位于所述半导体衬底内且位于所述栅极结构两侧；以及源极结构和漏极结构，分别位于所述栅极结构两侧且位于所述轻掺杂区内，所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述源极结构、所述漏极结构的掺杂浓度，其中，所述轻掺杂区形成有点缺陷。
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