[实用新型]掩膜板、电容器阵列和半导体器件有效
申请号: | 201821638293.6 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN208922054U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 吴晗 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F1/38;G03F7/20;H01L23/64;H01L27/108 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种掩膜板、电容器阵列和半导体器件,能够通过一次曝光工艺制作出电容孔阵列以及围绕在电容孔阵列周围且具有波浪形侧壁的环形沟槽,所述环形沟槽的操作窗口较大,能够避免刻蚀不到位的情况,从而能够防止电容器阵列边界形成多余且较小的电容开口,进而提高最终制得的器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 电容器阵列 电容 半导体器件 环形沟槽 孔阵列 掩膜板 本实用新型 波浪形侧壁 操作窗口 一次曝光 刻蚀 开口 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,其特征在于,用于制作电容器阵列,所述掩膜板具有第一网格图案和环绕在所述第一网格图案周围的第一环形图案,所述第一网格图案由沿第一方向延伸的第一线条和沿第二方向延伸的第二线条交织而成,所述第一网格图案中的每个第一网格定义一个电容器的位置,所述第一环形图案包括紧挨并围绕在所述第一网格图案周围的环形沟道以及围绕在所述环形沟道远离所述第一网格图案一侧的外围图案,所述外围图案用于遮蔽所述环形沟道外围的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821638293.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种医用干式胶片组件
- 下一篇:一种新型光刻版
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备