[实用新型]半导体器件结构有效
| 申请号： | 201821649482.3 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN209087847U | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | Z·豪森;浅野哲郎;宫原昭二;佐山康之 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件结构，包括具有第一导电类型的半导体材料区，半导体材料区包括有源区和端接区。第一有源沟槽结构设置在有源区中，第二有源沟槽结构设置在有源区中并且通过具有第一宽度的有源台面区与第一有源沟槽横向隔开。第一端接沟槽结构设置在端接区中并且通过过渡台面区与第二有源沟槽隔开，该过渡台面区具有第二宽度并且具有的载流子电荷比有源台面区的载流子电荷高。在一个示例中，第二宽度大于第一宽度以提供更高的载流子电荷。在另一个示例中，过渡台面区中的掺杂剂浓度比有源台面区中的掺杂剂浓度高以提供更高的载流子电荷。该半导体器件结构表现出经改善的器件耐用性，包括例如经改善的无钳位感应开关(UIS)性能。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子电荷 半导体器件结构 沟槽结构 过渡台面 台面区 源区 半导体材料区 掺杂剂 隔开 无钳位感应开关 第一导电类型 本实用新型 沟槽横向 第一端 耐用性 浓度比 表现 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体材料区，所述半导体材料区包括有源区和端接区；第一有源沟槽结构，所述第一有源沟槽结构设置在所述有源区中；第二有源沟槽结构，所述第二有源沟槽结构设置在所述有源区中并且通过具有第一宽度的有源台面区与所述第一有源沟槽横向隔开；和第一端接沟槽结构，所述第一端接沟槽结构设置在所述端接区中并且通过过渡台面区与所述第二有源沟槽隔开，所述过渡台面区具有第二宽度和比所述有源台面区更高的载流子电荷。
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