[实用新型]一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器有效
| 申请号： | 201821678368.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN208890095U | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 彭钰仁;贾钊;许晏铭;洪来荣;陈为民;陈进顺;翁妹芝;张坤铭;朱鸿根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，包括：衬底，依次形成于衬底上的外延层、绝缘层和电极层，外延层包括位于衬底上的N型层和位于N型层上的柱状层，柱状层包括位于N型层上的发光层和位于发光层上的P型层；柱状层与N型层上表面形成第一暴露区域；绝缘层包覆柱状层以及第一暴露区域，且与P型层上表面形成第二暴露区域，与N型层上表面形成第三暴露区域；电极层包括第一电极层和第二电极层；第一电极层包覆绝缘层，且在第二暴露区域，与P型层上表面形成第四暴露区域，与位于N型层上的、形成第三暴露区域一侧的绝缘层的水平面形成第五暴露区域；第二电极层位于第三暴露区域上。本申请实施例提高了芯片的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 暴露区域 上表面 柱状层 绝缘层 衬底 垂直腔面发射激光器芯片 第二电极 第一电极 水平结构 激光器 电极层 发光层 外延层 包覆绝缘层 散热性能 包覆 申请 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片，其特征在于，包括衬底，依次形成于所述衬底上的外延层、绝缘层和电极层，所述外延层包括位于所述衬底上的N型层和位于所述N型层上的柱状层，所述柱状层包括位于所述N型层上的发光层和位于所述发光层上的P型层；所述柱状层与所述N型层上表面形成第一暴露区域；所述绝缘层包覆所述柱状层以及所述第一暴露区域，且与所述P型层上表面形成第二暴露区域，以及，与所述N型层上表面形成第三暴露区域；所述电极层包括第一电极层和第二电极层；第一电极层包覆所述绝缘层，且在所述第二暴露区域，与所述P型层上表面形成第四暴露区域，以及，与位于所述N型层上的、形成第三暴露区域一侧的所述绝缘层的水平面形成第五暴露区域；第二电极层位于所述第三暴露区域上。
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