[实用新型]一种含有混合漏电极的氮化镓HEMT器件有效
| 申请号： | 201821705843.1 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN208889667U | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 黄兴;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种含有混合漏电极的氮化镓HEMT器件，属于半导体功率器件技术领域。本实用新型通过在原有漏极引入P型氮化镓，使该器件在正向导通或者开通瞬态过程中有空穴注入二维电子气及其周边区域，使得被深能级缺陷捕获的电子可以被快速中和，从而恢复器件二维电子气的导电特性，降低了器件的动态电阻，防止电流崩塌。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓HEMT器件 本实用新型 二维电子气 漏电极 半导体功率器件 空穴 深能级缺陷 导电特性 电流崩塌 动态电阻 恢复器件 瞬态过程 正向导通 周边区域 漏极 捕获 中和 引入 开通 | ||
【主权项】：
1.一种含有混合漏电极的氮化镓HEMT器件，包括：衬底(001)，其正面和背面依次设有缓冲外延层(002)和背部电极(011)；缓冲外延层(002)向上依次生长有第一外延层(003)和第二外延层(004)；第一外延层(003)与第二外延层(004)的交界面上具有二维电子气(005)；第二外延层(004)的局部区域顶部设有栅极第三外延层(006)和漏极第三外延层(106)；栅极第三外延层(006)顶部设有栅电极(009)；漏极第三外延层(106)顶部设有漏电极(010)；在栅电极(009)的另一侧，与漏电极(010)相对应的，设有源电极(008)；源电极(008)通过源极欧姆金属(007)与其下方的二维电子气(005)形成等电位；漏电极(010)通过漏极欧姆金属(107)与其下方的二维电子气(005)形成等电位；其特征在于，漏极欧姆金属(107)和漏极第三外延层(106)同时与漏电极(010)形成等电位。
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